Η γερμανική εταιρεία κατασκευής τσιπ Infineon Technologies AG παρουσίασε την πρώτη παγκοσμίως τεχνολογία πλακέτας τσιπ ισχύος 300 mm από νιτρίδιο γαλλίου (GaN).
Η εταιρεία σημείωσε ότι το επίτευγμά της «θα συμβάλει ουσιαστικά στην προώθηση της αγοράς των ημιαγωγών ισχύος με βάση το GaN», καθώς η παραγωγή τσιπ σε πλακίδια 300 mm είναι «σημαντικά πιο αποδοτική σε σύγκριση με τα πλακίδια 200 mm», επειδή η μεγαλύτερη διάμετρος προσφέρει 2,3 φορές περισσότερα τσιπ ανά πλακίδιο.
«Το τεχνολογικό επίτευγμα θα αλλάξει τον κλάδο και θα μας επιτρέψει να ξεκλειδώσουμε το πλήρες δυναμικό του νιτριδίου του γαλλίου. Σχεδόν ένα χρόνο μετά την εξαγορά της GaN Systems, αποδεικνύουμε και πάλι ότι είμαστε αποφασισμένοι να είμαστε ηγέτες στην ταχέως αναπτυσσόμενη αγορά GaN. Ως ηγέτης στα συστήματα ισχύος, η Infineon κατέχει και τα τρία σχετικά υλικά: το πυρίτιο, το καρβίδιο του πυριτίου και το νιτρίδιο του γαλλίου», δήλωσε ο διευθύνων σύμβουλος Jochen Hanebeck.
Η Infineon τόνισε ότι αναμένει ότι η πλήρως κλιμακούμενη παραγωγή 300 mm Gan θα συμβάλει στην επίτευξη ισοτιμίας κόστους για συγκρίσιμα προϊόντα GaN και πυριτίου.
